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应用案例

ST-P系列激光位移传感器在晶圆吸盘真空吸附高度检测中的应用

2026-07-13 · 硕尔泰技术团队 ·

所属行业:半导体
ST-P系列激光位移传感器在晶圆吸盘真空吸附高度检测中的应用

应用背景

在半导体制造过程中,晶圆通常通过真空吸盘固定于载台。吸盘表面的平整度、吸附状态以及晶圆与吸盘之间的高度差直接影响加工精度和良率。传统接触式测量易损伤晶圆,且无法实时监测动态吸附过程。ST-P系列激光位移传感器采用激光三角法非接触测量,可实现对晶圆吸盘高度、晶圆翘曲、平面度及吸附状态的在线检测,适用于晶圆检测设备、封装设备及半导体自动化产线。

产品原理与选型说明

ST-P系列激光位移传感器基于激光三角法原理,发射激光束至被测表面,反射光经透镜汇聚于CMOS/PSD感光元件,通过光斑位置变化计算位移量。该系列提供多种型号,可根据安装距离和精度需求选择:

  • ST-P25:参考距离25mm,测量范围±1mm,重复精度0.05μm,线性误差<±0.6μm,适用于高精度小范围晶圆边缘厚度测量。

  • ST-P30:参考距离30mm,测量范围±5mm,重复精度0.15μm,线性误差<±3μm,适用于常规晶圆厚度与翘曲检测。

  • ST-P50:参考距离50mm,测量范围±10mm,重复精度0.25μm,线性误差<±4μm,兼顾精度与量程。

  • ST-P80:参考距离80mm,测量范围±15mm,重复精度0.5μm,线性误差<±6μm,适用于较大翘曲或安装空间受限场景。

  • ST-P150:参考距离150mm,测量范围±40mm,重复精度1.2μm,线性误差<±16μm,适用于长距离或大范围检测。

对于晶圆吸盘高度检测,通常推荐ST-P25或ST-P30,因参考距离短、精度高,适合紧凑安装空间。若需检测较大范围翘曲,可选用ST-P50或ST-P80。具体选型需根据现场安装距离、被测表面反光特性及节拍要求确认。

方案建议

在晶圆吸盘高度检测中,传感器可安装于吸盘上方或侧面,垂直对准被测点。建议采用多点测量方式,例如在吸盘边缘及中心布置多个传感器,同步采集高度数据,通过上位机计算平面度及翘曲量。传感器支持以太网、RS485、模拟量和IO输出,可接入PLC或运动控制平台,实现实时反馈与闭环控制。对于高速产线,可选用采样频率高达160kHz的型号,满足快速检测需求。

安装调试建议

安装时需确保传感器光轴垂直于被测表面,避免倾斜导致测量误差。晶圆表面通常为镜面或半透明,可能产生多重反射或透射,影响测量稳定性。建议在正式使用前进行样件测试,验证传感器对不同材料(如硅、玻璃、陶瓷)的适应性。对于透明晶圆,可调整传感器角度或选用特定波长激光。调试时需设置合适的采样频率和滤波参数,以平衡响应速度与噪声抑制。

常见问题

  1. 问:传感器能否检测透明晶圆? 答:透明材料可能引起透射或二次反射,需根据具体型号和表面状态测试。建议选用短波长激光或倾斜安装方式。

  2. 问:真空吸附过程中高度变化如何捕捉? 答:传感器高速采样(最高160kHz)可实时跟踪高度变化,通过IO触发或模拟量输出同步记录。

  3. 问:多传感器同步测量如何实现? 答:可通过以太网或RS485总线同步触发,或使用外部硬件触发信号。

总结

ST-P系列激光位移传感器为晶圆吸盘真空吸附高度检测提供了非接触、高精度的解决方案。通过合理选型与安装,可有效监测晶圆平面度、翘曲及吸附状态,提升半导体加工良率。实际应用中需根据被测表面特性进行样件测试,并注意安装角度与信号输出方式的选择。本文内容仅供技术参考,具体参数及性能需按实际型号确认。

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